内存时序是指描述同步动态随机存取存储器性能的参数，较低的内存时序意味着更短的延迟时间和更快的数据访问速度，从而提升整体的系统性能。
答：内存时序是指描述同步动态随机存取存储器性能的参数，主要包括CL、tRCD、tRP和tRAS，这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间。内存时序是衡量内存条性能的重要指标之一，与内存频率共同决定了内存的实际运行速度。
内存时序各个参数的具体含义：
1、CL（CAS Latency）：列地址选通延迟，表示从内存控制器发出读取命令到数据开始传送之间的延迟时间。这是内存时序中最关键的参数，因为它直接影响到数据访问的响应时间。
2、tRCD（RAS to CAS Delay）：行地址传输到列地址的延迟时间，即从内存控制器接收到行地址信号后，需要等待多少时钟周期才能访问该行的某个列地址。
3、tRP（RAS Precharge Time）：行预充电时间，指内存控制器在激活一行之后，需要等待多久才能激活另一行的时间。
4、tRAS（RAS Active Time）：行激活时间，通常这个参数会被省略。它表示行激活命令与预充电命令之间的最小时钟周期数。
相关链接：内存时序高好还是低好
