三星cdie和bdie这两种内存颗粒进行对比，两者面向不同市场需求的内存颗粒，两者各有特点，主要差异体现在性能以及制造工艺上，三星bdie要比三星cdie强上很多。
对比
1、三星bdie它在高达1.6V的电压下能够稳定工作，甚至能承受短时间1.8V的电压。
2、三星cdie颗粒的电压收益在1.3V时就已经达到上限，如果继续增加电压，其性能反而会下降。
3、三星cdie采用了更新的10nm级光刻工艺，这是技术上的一大进步，但同时也面临良率问题和制程设计的挑战。
4、而三星bdie使用的是20nm级制程，虽然技术上较为成熟，但在现代半导体制造中逐渐显得落后。
其他信息
1、三星cdie广泛应用于OEM领域和多个品牌的入门级内存产品，如海盗船复仇者LPX系列。
2、三星bdie作为高性能内存的代表，被许多高端内存产品采用，受到发烧友和超频爱好者的青睐。
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